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Fichier:N-V charge control PL maps.jpg

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Description

Description Top: Schematic figure of an in-plane Al Schottky diode on H-terminated diamond surface. A confocal μPL measurement was performed at the edge of the Al contact (green spot) to investigate the bias-voltage dependent variation of NV emission in the depletion region. Bottom: A PL-intensity mapping performed on the diamond surface at the edge of the Al-Schottky-contact (rectangle area on the left with lower PL intensity). Compared to the zero-potential condition (a) there are bright spots visible at the edge of the Al-contact (b) upon applying a reverse bias potential of +20 V indicating NV− photoluminescence in the hole depletion region of the Schottky junction.
Date
Source http://www.nature.com/articles/srep12160
Auteur C. Schreyvogel, V. Polyakov, R. Wunderlich, J. Meijer & C. E. Nebel
Autorisation
(Réutilisation de ce fichier)
w:fr:Creative Commons
paternité
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actuel15 mars 2017 à 07:45Vignette pour la version du 15 mars 2017 à 07:452 046 × 3 629 (1,84 Mio)Materialscientist=={{int:filedesc}}== {{Information |description=Top: Schematic figure of an in-plane Al Schottky diode on H-terminated diamond surface. A confocal μPL measurement was performed at the edge of the Al contact (green spot) to investigate the bias-voltage...

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