Fichier:Microstrip-bandpass-filter.jpg
Taille de cet aperçu : 800 × 334 pixels. Autres résolutions : 320 × 133 pixels | 1 132 × 472 pixels.
Fichier d’origine (1 132 × 472 pixels, taille du fichier : 130 kio, type MIME : image/jpeg)
Ce fichier et sa description proviennent de Wikimedia Commons.
Description
| Description |
Deutsch: Bandpassfilter mit Mikrostreifenleitern, der seitlich gekoppelte λ/2-Resonatoren verwendet. Die metallisierten Bohrungen an jeder Seite sind nicht Teil der Filterstruktur, sondern Teil des Gehäuses und dienen der Verbesserung der Isolation. Die Substratdicke beträgt ungefähr 0,5 mm und die Dicke der Metallisierung vielleicht 20 µm. Die Bandbreite liegt am unteren Ende des Ku-Bandes, deshalb muss die Dieelektrizitätskonstante des Substrates bei ca. 3,5 liegen. Für den Maßstab: Das Raster der Gehäuse-Bohrungen liegt genau bei 1 mm.
English: Bandpass filter in microstrip using edge-coupled halfwave resonators. The via fences on each side are not part of the filter, but form part of the enclosure. The substrate thickness is about 0.5mm, and the metallization thickness perhaps 20μm. The pass band is at the bottom of the Ku band, so the substrate dielectric constant must be about 3.5. For scale: the pitch of the via fences is precisely 1mm. |
| Date | |
| Source | Travail personnel |
| Auteur | Catslash |
Conditions d’utilisation
|
Moi, propriétaire des droits d’auteur sur cette œuvre, la place dans le domaine public. Ceci s'applique dans le monde entier. Dans certains pays, ceci peut ne pas être possible ; dans ce cas : J’accorde à toute personne le droit d’utiliser cette œuvre dans n’importe quel but, sans aucune condition, sauf celles requises par la loi. |
Historique du fichier
Cliquer sur une date et heure pour voir le fichier tel qu'il était à ce moment-là.
| Date et heure | Vignette | Dimensions | Utilisateur | Commentaire | |
|---|---|---|---|---|---|
| actuel | 29 avril 2010 à 17:15 | | 1 132 × 472 (130 kio) | Catslash | {{Information |Description={{en|1=Bandpass filter in microstrip using edge-coupled halfwave resonators. The via fences on each side are not part of the filter, but form part of the enclosure. The substrate thickness is about 0.5mm, and the metallization t |
Utilisation du fichier
La page suivante utilise ce fichier :
Usage global du fichier
Les autres wikis suivants utilisent ce fichier :
- Utilisation sur de.wiki.x.io
- Utilisation sur en.wiki.x.io
- Utilisation sur he.wiki.x.io
- Utilisation sur it.wiki.x.io
- Utilisation sur pl.wiki.x.io
- Utilisation sur pt.wiki.x.io
